Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | FQD12N20TF | 5 | 10h | |||||||||
| Avnet | FQD12N20TF | 0 | 2K | 1d | ||||||||
| Microchip USA | FQD12N20TF | 331 | 3500 | Bulk | 4h | |||||||
| Worldway Electronics | FQD12N20TF | 22.254 | 7 | Tape & Reel | 10h |
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQD12N20TF.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-12-02
LTD Date2009-06-02
Parti correlate
InfineonIRFR9N20DTRLPBF
Single N-Channel 200 V 0.38 Ohm 18 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-252AA
InfineonIRFR9N20DPBF
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQD12N20TF fornite dai suoi distributori.
TRANS MOSFET N-CH 200V 9A 3PIN DPAK
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs 200V N-Channel QFET
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance910 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation55 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max280 mΩ
Rise Time120 ns
Turn-Off Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQD12N20TF.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità