onsemi FQD10N20CTM
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-01-05
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
LTB Date2022-06-21
LTD Date2022-12-21
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQD10N20CTM fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 200 V 0.36 Ohm 26 nC 50 W DMOS SMT Mosfet - TO-252-3
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 200 V, 10 A, 360 mΩ, DPAK
Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
50W(Tc) 30V 4V@ 250¦ÌA 26nC@ 10 V 1individualNChannel 200V 360m¦¸@ 3.9A,10V 7.8A 510pF@25V TO-252AA SMD mount 2.52mm(height)
MOSFET, N-CH, 200V, 7.8A, TO-252AA-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.8A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):0.29ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -59.83%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.8 A
Current Rating7.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time72 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation50 W
Rds On Max360 mΩ
Resistance360 mΩ
Rise Time92 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time70 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.6 mm
Width6.1 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità