Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | FQB10N20CTM | 0 | 1600 | 13h | ||||||||
| Worldway Electronics | FQB10N20CTM | 23.622 | 7 | Tape & Reel | 10h | |||||||
| Classic Components | FQB10N20CTM | 185 | 1h |
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQB10N20CTM.
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-02
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2008-06-06
LTD Date2008-12-06
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB4NK60ZT4
N-channel 600 V, 1.76 Ohm, 4 A SuperMESH(TM) Power MOSFET in D2PAK
STMicroelectronicsSTB5NK50ZT4
Mosfet Transistor, N Channel, 4.4 A, 500 V, 1.22 Ohm, 10 V, 3.75 V Rohs Compliant: Yes
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FQB10N20CTM fornite dai suoi distributori.
TRANS MOSFET N-CH 200V 9.5A 3PIN D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 200V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFETs N-CH/200V/10A/QFET
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.5 A
Current Rating9.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time72 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance510 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation72 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation72 W
Rds On Max360 mΩ
Rise Time92 ns
Turn-Off Delay Time70 ns
Voltage Rating (DC)200 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FQB10N20CTM.
Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità