onsemi FODM2705
$ 0.214
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -16.04%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.214
$ 0.222
$ 0.222
Stock
375,906
1,637,792
1,637,792
Authorized Distributors
6
6
6
Case/Package
SMD/SMT
SMD/SMT
SMD/SMT
Number of Pins
4
4
4
Number of Channels
1
1
1
Isolation Voltage
3750 Vrms
3750 Vrms
3750 Vrms
Current Transfer Ratio
50 %
50 %
50 %
Rise Time
-
3 µs
3 µs
Fall Time
-
3 µs
3 µs
Output Voltage
40 V
40 V
40 V
Output Current
-
-
-
Forward Voltage
1.4 V
1.4 V
1.4 V
Forward Current
50 mA
50 mA
50 mA
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2007-03-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FODM2705 fornite dai suoi distributori.
MFP4 SMT Single Channel 40 V 3750 Vrms Transistor Output Optocoupler - SDIP-4
AC Input-Transistor Output Optocoupler, 1-Element, 3750V Isolation
Optocoupler AC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 4-Pin Mini-Flat Rail
Transistor Output Optocouplers AC In Phototransistr Output Optocoupler
OPTO CPLR, PHOTOTRANS, 3.75KV, MINI-FLAT; No. of Channels:1; Isolation Voltage:3.75kV; Optocoupler Output Type:Phototransistor; Input Current:50mA; Output Voltage:40V; Opto Case Style:Mini-Flat; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
The FODM121 series, FODM124, and FODM2701 consists of a gallium arsenide infrared emitting diode driving a phototransistor in a compact 4-pin mini-flat package. The lead pitch is 2.54 mm. The FODM2705 consists of two gallium arsenide infrared emitting diodes connected in inverse parallel for AC operation.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -16.04%
Modelli CAD
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1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Weight155 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Transfer Ratio50 %
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.4 V
Input Current50 mA
Isolation Voltage3750 Vrms
Max Collector Current80 mA
Max Input Current50 mA
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature100 °C
Max Output Voltage40 V
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Current per Channel80 mA
Output Voltage40 V
PackagingBulk
Power Dissipation70 mW
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage6 V
Schedule B8541408000
Dimensions
Height2.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità