onsemi FJA4313OTU
$ 3.16
EOL
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Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Questo componente
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Price @ 1000
$ 3.16
$ 2.47
$ 2.47
Stock
124,931
173,777
173,777
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
-
TO-264-3
TO-264-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
250 V
250 V
250 V
Max Collector Current
17 A
17 A
17 A
Transition Frequency
30 MHz
30 MHz
30 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
400 mV
hFE Min
80
80
80
Power Dissipation
130 W
150 W
150 W
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-03-17
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Parti correlate
onsemiFJA4313RTU
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
onsemi2SC5242OTU
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Through Hole
onsemi2SC5242RTU
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Toshiba2SC5200N(S1,E,S)
Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 230V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 3 Pin
ToshibaTTC5200(Q)
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 230 V, 15 A, 150 W, TO-3P, Through Hole
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FJA4313OTU fornite dai suoi distributori.
TRANS NPN 250V 17A TO3PN / Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3PN
Power Bipolar Transistor, 17A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 250V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Tube
Avnet Japan
TRANS, NPN, 250V, 17A, 150DEG C, 130W; Available until stocks are exhausted
Low Voltage, 28-Bit, Flat-Panel Display Link Serializer / Deserializer. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 250V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:250V; Transition Frequency Typ, ft:30MHz; Power Dissipation, Pd:130W; DC Collector Current:17A; DC Current Gain Max (hfe):60 ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.401 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)250 V
Collector Emitter Breakdown Voltage250 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)250 V
Current Rating10 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency30 MHz
Gain Bandwidth Product30 MHz
hFE Min80
Max Collector Current17 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation130 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency30 MHz
Voltage Rating (DC)140 V
Dimensions
Height23.8 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità