Infineon IGB15N60TATMA1
$ 0.791
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | IGB15N60TATMA1 | 950 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 448-IGB15N60TATMA1CT-ND | 1057 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | IGB15N60TATMA1 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | IGB15N60TATMA1 | 0 | 1K | 9h | ||||||||
| Farnell | IGB15N60TATMA1 | 1275 | 1 | 7h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.65%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IGB15N60TATMA1.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-03-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Parti correlate
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
onsemiFGB20N6S2D
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Descrizioni
Descrizioni di Infineon IGB15N60TATMA1 fornite dai suoi distributori.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Infineon IGB15N60TATMA1 IGBT, 26 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
130W 1.5V 600V 30A TO-263 , 10.31mm*9.45mm*4.57mm
IGBT TRENCH 600V 30A TO263-3-2
IGBT,600V,15A,TO263; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; Power Dissipation Max:130W
Hard-switching 600 V, 15 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Alias del produttore
Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.65%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current30 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation130 W
Schedule B8541290080
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per Infineon IGB15N60TATMA1.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità