onsemi FDZ661PZ
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-12-13
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2022-06-23
LTD Date2022-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Parti correlate
VishaySI5935CDC-T1-E3
MOSFET Array, Dual P Channel, 20 V, 4 A, 100 MilliOhms, ChipFET, 8 Pins
onsemiFDFMA2P853
Integrated P-Channel PowerTrench® MOSFET and Schottky Diode -20V , -3.0A, 120mΩ
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDZ661PZ fornite dai suoi distributori.
P-Channel PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET, 1.5 V Specified, -20V, -2.6A, 140mΩ
Transistor MOSFET P-CH 20V 2.6A 4-Pin WL-CSP T/R
20V 2.6A 108m´Î@4.5V2A 1.3W 700mV@250uA 53pF@10V P Channel 416pF@10V 6.3nC@4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) WLCSP-4(0.8X0.8) MOSFETs ROHS
Designed on Fairchild's advanced 1.5 V PowerTrench® process with state of the art "fine pitch" Thin WLCSP packaging process, the FDZ661PZ minimizes both PCB space and rDS(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transfer characteristics, ultra-low profile (0.4 mm) and small (0.8x0.8 mm2) packaging, low gate charge, and low rDS(on).
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight67 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time33 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance555 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation400 mW
Rds On Max140 mΩ
Rise Time6.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time68 ns
Turn-On Delay Time4.9 ns
Dimensions
Height400 µm
Length800 µm
Width800 µm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità