onsemi FDV305N
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-10-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZXM61N02FTA
ZXM61N02F 20 V 0.18 Ohm N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET - SOT-23
Diodes Inc.DMN2004K-7
DMN2004K Series N-Channel 20 V 0.55 Ohm MosFet Surface Mount - SOT-23-3
Diodes Inc.DMG3420U-7
N-Channel 20 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
InfineonBSS214NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS214NH6327XTSA1
InfineonBSS205NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 2.5A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS205NH6327XTSA1
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDV305N fornite dai suoi distributori.
N-Channel 20 V 220 mOhm SMT PowerTrench Mosfet - SOT-23-3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 900 mA, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
N-Channel PowerTrench® MOSFET 20V, 0.9A, 220mΩ
This 20V N-Channel MOSFET uses Fairchild’s high voltage PowerTrench process. It has been optimized for power management applications.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)900 mA
Current Rating900 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Dual Supply Voltage20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance109 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation350 mW
Rds On Max220 mΩ
Resistance220 MΩ
Rise Time7 ns
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time8 ns
Turn-On Delay Time4.5 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height930 µm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità