Diodes Inc. DMN2004K-7
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Distributore
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Pkg
Prezzi all'ingrosso
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -98.41%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China, Taiwan
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-07-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZXM61P02FTA
DiodesZetex P-Channel Enhancement MOSFET, Vds=20V, 900mA, SOT-23, SMD, 3-Pin
InfineonBSS806NH6327XTSA1
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.3A; 0.041ohm; 0.5W; -55+150 deg.C; SMD; SOT23; AEC-Q100
Descrizioni
Descrizioni di Diodes Inc. DMN2004K-7 fornite dai suoi distributori.
DMN2004K Series N-Channel 20 V 0.55 Ohm MosFet Surface Mount - SOT-23-3
DiodesZetex N-Ch Enhancement MOSFET, Vds=20V, 630mA, SOT-23, SMD, 3-Pin
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
MOSFET, N CH, 20V, 0.54A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:540mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.55ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:1.6V;
Alias del produttore
Diodes Inc. ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Diodes Inc. può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -98.41%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)410 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance150 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-65 °C
Nominal Vgs1.6 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation350 mW
Rds On Max550 mΩ
Resistance550 mΩ
Rise Time8.4 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.6 V
Turn-Off Delay Time59.4 ns
Turn-On Delay Time5.7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità