onsemi FDT86246L
$ 0.486
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -24.30%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDT86246L.
Modelli CAD
Scarica il simbolo onsemi FDT86246L, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-02-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMP7A17GQTA
Trans MOSFET P-CH 70V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
NXP SemiconductorsBUK98150-55,135
Trans MOSFET N-CH 55V 2.6A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
NXP SemiconductorsPMT200EN,115
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDT86246L fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 2A, 228mΩ
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
1W(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 6.3nC@ 10 V 1individualNChannel 150V 228mΩ@ 2A,10V 2A 335pF@75V SOT-223-4 SMD mount 6.5mm*350cm*1.8mm
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
MOSFET, N-CH, 150V, 2A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.189ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Pow
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -24.30%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-223-4
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight250.2 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance228 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)150 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance335 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.2 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max228 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time4.5 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDT86246L.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità