onsemi FDS4435BZ
$ 0.305
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +4.90%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMG4435SSS-13
P-Channel 30 V 20 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOP-8
InfineonIRF7416PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRF7416TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDS4435BZ fornite dai suoi distributori.
P-Channel PowerTrench® MOSFET -30V, -8.8A, 20mΩ
P-Channel 30 V 20 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
MOSFET-P-Channel, POWERTRENCH Power Field-Effect Transistor
ON SEMICONDUCTOR - FDS4435BZ - P CHANNEL MOSFET, -30V, 8.8A, SOIC
This P–Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on–state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +4.90%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight130 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.8 A
Current Rating-8.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.845 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-2.1 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max20 mΩ
Resistance20 MΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità