onsemi FDS3590

Name: onsemi FDS3590
Brand: onsemi
SKU: FDS3590

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 6.5A, 39mΩ

$ 0.428

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		FDS3590	2500	2500						0,365	4d
DigiKey	2	FDS3590CT-ND	2485	1	Cut Tape	1,600	1,008	0,670	0,479	0,479
Newark		FDS3590	0	2500	Tape & Reel					0,529
Onlinecomponents.com		FDS3590	0	50	Bulk			0,418	0,378	0,345
Master Electronics		FDS3590	0	50				0,418	0,378	0,345

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Upverter

Technical Drawing1 pagina6 anni fa

Newark

Fairchild Semiconductor

IHS

onsemi

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Supply Chain

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-01-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Parti correlate

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Descrizioni

Descrizioni di onsemi FDS3590 fornite dai suoi distributori.

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 6.5A, 39mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH 80V 6.5A 8-Pin SOIC T/R

Richardson RFPD

MOSFET, N-CH, 80V, 6.5A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.5A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.032ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe

Farnell

2.5W(Ta) 20V 4V@ 250¦ÌA 35nC@ 10 V 1N 80V 39m¦¸@ 6.5A,10V 6.5A 1.18nF@40V SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.75mm

UnikeyIC

Small Signal Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 80V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Fet 80V 39.0 Mohm So8 Rohs Compliant: Yes

Newark

SO8, NCH, 80V, 600A GATEOX, 39/44MO(10/6V), TRENCH

Avnet

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

ODG (Origin Data Global)

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS(ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.

Fairchild Semiconductor

Immagini

Rochester Electronics

Alias del produttore

onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

FDS3590.

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Parti alternative

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Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageSOIC

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Weight130 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)6.5 A

Current Rating6.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage80 V

Drain to Source Resistance37 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)80 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time12 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.18 nF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2.5 W

Min Breakdown Voltage80 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation2.5 W

Rds On Max39 mΩ

Resistance39 MΩ

Rise Time8 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time26 ns

Turn-On Delay Time11 ns

Voltage Rating (DC)80 V

Dimensions

Height1.75 mm

Length5 mm

Width4 mm

Schede tecniche e documenti

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Upverter

Technical Drawing1 pagina6 anni fa

Newark

Fairchild Semiconductor

IHS

onsemi

Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Rohs Statement3 pagine5 anni fa

Reach Statement3 pagine12 anni fa

Materials Sheet3 pagine12 anni fa

Reach Statement4 pagine11 anni fa

Materials Sheet3 pagine11 anni fa

Reach Statement8 pagine11 anni fa

Rohs Statement1 pagina13 anni fa

Rohs Statement1 pagina14 anni fa

Reach Statement2 pagine13 anni fa

Rohs StatementN/AN/A