onsemi FDPF770N15A
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Obsolete
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP14NF12FP
N-Channel 120V - 0.16Ohm - 14A - TO-220FP LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDPF770N15A fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 10A, 77mΩ
Trans MOSFET N-CH Si 150V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Single N-Channel 150 V 21 W 11.2 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220F
MOSFET, N-CH, 150V, 10A, 150DEG C, 21W; Available until stocks are exhausted
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance77 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance765 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation20 W
Rds On Max77 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità