onsemi FDPF390N15A
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Tendenza a 3 mesi: +16.40%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-08
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTP14NF12FP
N-Channel 120V - 0.16Ohm - 14A - TO-220FP LOOhm GATE CHARGE StripFET(TM) POWER MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDPF390N15A fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel 150 V 40 mOhm 18.6 nC 22 W Flange Mount Mosfet - TO-220F
Trans MOSFET N-CH Si 150V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 15A, 40mΩ
N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +16.40%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.27 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.285 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation22 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation22 W
Rds On Max40 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height16.07 mm
Length10.36 mm
Width4.9 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità