onsemi FDN86265P
$ 0.621
Production
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Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -79.69%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Parti correlate
Diodes Inc.ZXMP10A13FQTA
P-Ch MOSFET 100V 20V 4V@250µA 1.8nC@5V 1Ω@600mA,10V 600mA 141pF@50V SOT-23-3 SMD 1.12mm H
Diodes Inc.DMN13H750S-7
N-Ch MOSFET 130V 1A 750mΩ@2A,10V 4V@250µA Qg 5.6nC@10V 231pF@25V 770mW Ta SOT-23-3 SMD 2.9mm × 1.3mm × 1.03mm
InfineonIRLML5103TRPBF
INFINEON IRLML5103PBF MOSFET Transistor, P Channel, 610 mA, -30 V, 600 mohm, -10 V, -1 V
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDN86265P fornite dai suoi distributori.
P-Channel PowerTrench® MOSFET -150V, -0.8A, 1.2Ω
Power MOSFET, P Channel, 150 V, 800 mA, 0.85 ohm, SuperSOT, Surface Mount
MOSFET, P-CH, -150V, -0.8A, SUPERSOT-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -800mA; Drain Source Voltage Vds: -150V; On Resistance Rds(on): 0.85ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage V
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -79.69%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)800 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)-150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance210 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation600 mW
Rds On Max1.2 Ω
Rise Time2.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time7.9 ns
Turn-On Delay Time5.7 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length2.92 mm
Width1.4 mm
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDN86265P.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità