onsemi FDMS86520
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Production
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.65%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDMS86520.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-12-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiNTB18N06T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 15A Tc 15A 48.4W 13ns
STMicroelectronicsSTD16NF06T4
STMicroelectronics N-Ch Enhancement MOSFET STripFET Series Vds=60V 16A DPAK (TO-252) SMD 3-Pin
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMS86520 fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 42A, 7.4mΩ
MOSFET, N-CH, 60V, 42A, PQFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 42A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.006ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.6V; Power
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.0074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
2.5W(Ta)，69W(Tc) 20V 4.5V@ 250µA 40nC@ 10 V 1individualNChannel 60V 7.4mΩ@ 14A,10V 14A，42A 2.85nF@30V QFN SMD mount 6mm*5mm*1.1mm
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch noderinging of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimizedfor low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and body diode reverse recovery performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -2.65%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance7.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.85 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation69 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation69 W
Rds On Max7.4 mΩ
Rise Time6.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5.1 mm
Width6.25 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità