onsemi FDMS86263P
$ 1.403
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -23.28%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica | |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-12-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
VishaySQD25N15-52_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252 / Trans MOSFET N-CH 150V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMS86263P fornite dai suoi distributori.
PT5 150/25V Pch Power Trench MOSFET - 8LD,PQFN,JEDEC MO-240 AA,5.0X6.0MM
FDMS86263P Series -150 V 4.4 A 53 mOhm P-Ch PowerTrench Mosfet - Power56
P-Channel PowerTrench® MOSFET -150V, -22A, 53mΩ
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 150V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
MOSFET, P-CH, -150V, -22A, POWER 56-8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -22A; Drain Source Voltage Vds: -150V; On Resistance Rds(on): 0.042ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor‘s advanced PowerTrench® technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and optimized for superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -23.28%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-150 V
Drain to Source Resistance53 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.905 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation104 W
Rds On Max53 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-2.9 V
Turn-Off Delay Time37 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width5.85 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità