onsemi FDD390N15ALZ
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Tendenza a 3 mesi: -9.14%
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Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTD20NF06T4
N-channel 60 V, 0.032 Ohm typ., 24 A Power MOSFET in DPAK package
STMicroelectronicsSTD30NF06T4
N-Channel 60V - 0.020 Ohm - 28A - DPAK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDD390N15ALZ fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 150V, 26A, 42mΩ
Single N-Channel 150 V 64 mOhm 10.5 nC 63 W PowerTrench SMT Mosfet - TO-252-3
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 150V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
63W(Tc) 20V 2.8V@ 250µA 39nC@ 10 V 1individualNChannel 150V 42mΩ@ 26A,10V 26A 1.76nF@75V TO-252AA SMD mount 2.52mm(height)
MOSFET, N-CH, 150V, 26A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:26A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):0.0334ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V;
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.14%
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.76 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation63 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation63 W
Rds On Max42 mΩ
Rise Time9.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26.9 ns
Turn-On Delay Time12.8 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità