onsemi FDMS2508SDC
$ 1.249
Obsolete
Prezzo e stock
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-09-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-09-11
LTD Date2014-03-11
Parti correlate
onsemiFDMS7658AS
N-Channel 30 V 28 A 1.9 mO Surface Mount PowerTrench SyncFET Mosfet - Power 56
InfineonIRLR8259PBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
InfineonIRFH4210DTRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMS2508SDC fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 25V 34A 8-Pin PQFN T/R
Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 25V, 0.00195ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
N CH MOSFET, 25V, 34A, 8-PWR56; Transist; N CH MOSFET, 25V, 34A, 8-PWR56; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):1.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.7V; No. of Pins:8
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance. This device has the added benefit of an efficient monolithic Schottky body diode.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight90 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance1.95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.515 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.7 V
Number of Elements1
Power Dissipation78 W
Rds On Max1.95 mΩ
Rise Time5.9 ns
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità