onsemi FDMS039N08B
$ 1.157
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Tendenza a 3 mesi: -3.73%
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0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-09-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonBSC036NE7NS3GATMA1
2.5KW 20V 3.8V 63.4nC@ 10V 1N 75V 3.6m¦¸@ 10V 100A 4.4nF@ 37.5V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
InfineonBSC047N08NS3GATMA1
80V N-CHANNEL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY SWITCHING AND DC-DC CONVERTERS
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMS039N08B fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 100A, 3.9mΩ
N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 19.4A I(D), 80V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-240AA
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -3.73%
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight68.1 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)19.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance3.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.6 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation104 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max3.9 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time48 ns
Turn-On Delay Time42 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length5 mm
Width6 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità