Infineon BSC047N08NS3GATMA1

80V N-channel Power Transistor For High-frequency Switching And Dc-dc Converters
$ 1.195
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Schede tecniche e documenti

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Newark

Datasheet9 pagine14 anni fa

element14 APAC

iiiC

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Supply Chain

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-06-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Parti correlate

InfineonBSC042NE7NS3GATMA1
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 75 V, 0.0037 ohm, 10 V, 3.1 V
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N-Channel PowerTrench® MOSFET 80V, 100A, 3.9mΩ
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2.5KW 20V 3.8V 63.4nC@ 10V 1N 75V 3.6m¦¸@ 10V 100A 4.4nF@ 37.5V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
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InfineonBSC057N08NS3GATMA1
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 80 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.8 V
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PT7 60V/20V Nch PowerTrench Mosfet - 8LD,PQFN,JEDEC MO-240 AA,5.0X6.0MM
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onsemiNTMFS5C646NLT1G
ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C646NLT1GMOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 60 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2 V
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Descrizioni

Descrizioni di Infineon BSC047N08NS3GATMA1 fornite dai suoi distributori.

80V N-CHANNEL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY SWITCHING AND DC-DC CONVERTERS
RS (Formerly Allied Electronics)
INFINEON - BSC047N08NS3GATMA1 - MOSFET de puissance, Canal N, 80 V, 100 A, 0.0039 ohm, PG-TDSON, Montage en surface
Jak Electronics
2.5KW 20V 3.5V 52nC@ 10V 1N 80V 4.7m¦¸@ 10V 100A 3.6nF@ 40V SON , 5.15mm*590cm*1mm
UnikeyIC
Trans MOSFET N-CH 80V 18A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
MOSFETs; BSC047N08NS3G; INFINEON TECHNOLOGIES; 80 V; 18 A; 20 V; 125 W
Maritex
MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Digi-ic_SMART PIONEER
Power Field-Effect Transistor, 125A I(D), 80V, 0.0047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).
Infineon
MOSFET N-Channel 80V 18A TDSON8 EP
RS APAC
Switching Controllers Current Mode PWM Controller
Utmel Electronic
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:80V; Continuous Drain Current Id:18A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.8V; Power Dissipation:125W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC047N08NS3GATMA1.
Newark

Immagini

Farnell
Augswan
RS APAC
TME
LZChips
RS (Formerly Allied Electronics)
Rochester Electronics

Alias del produttore

Infineon ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. Infineon può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • BSC047N08NS3 G
  • BSC047N08NS3G
  • BSC047N08NS3GATMA1.
  • SP000436372