onsemi FDMC7208S
$ 0.651
Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -87.03%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDMC7208S.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
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Supply Chain
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2012-07-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
VishaySIS472DN-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySI4174DY-T1-GE3
2.5W(Ta),5W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 27nC@ 10 V 1N 30V 9.5m¦¸@ 10A,10V 17A 985pF@15V SOIC-8 1.75mm
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMC7208S fornite dai suoi distributori.
TRANSISTOR, DUAL N-CHANNEL, POWERTRENCH MOSFET, Q1:30V, 12A, 9MOHM
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 26A 8-Pin Power 33 T/R
Avnet Japan
PT8 30/20 & PT8 30/12 S in MLP3x3 Symmetric Dual - 8LD, MLP, DUAL, NON-JEDEC, 3 X 3MM
onsemi NMOS PowerTrench, SyncFET, Vds=30 V, 12 A,16 A, Power 33, , 8
Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET Q1: 30 V, 12 A, 9.0 mΩ Q2: 30 V, 16 A, 6.4 mΩ | MOSFET 2N-CH 30V 12A/16A PWR33
Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, 双 N沟道, 30V, 26A, 1.9W;
MOSF DUAL N CH 30V 12A/16A PWR33
This device includes two 30V N-Channel MOSFETs in a dual Power 33 (3 mm X 3 mm MLP) package. The package is enhanced for exceptional thermal performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -87.03%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals4
Weight196 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)12 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.13 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation800 mW
Rds On Max9 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height800 µm
Length3 mm
Width3 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità