onsemi FDMA86551L
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +89.76%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDMA86551L.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMT6016LSS-13
DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
onsemiFDD5810-F085
60V, 36A, 27M Ohm, Nch, Logic Level Trench Mosfet/Tape Reel |Onsemi FDD5810_F085
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMA86551L fornite dai suoi distributori.
Single N-Channel Power Trench Mosfet - 6LD,MLP,DUAL,NON-JEDEC,2MM SQUARE,SINGLE TIED DAP
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 7.5A, 23mΩ
Single N-Channel 60 V 23 mO Surface Mount PowerTrench Mosfet - MicroFET 2x2
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 7.5 A, 0.019 ohm, MicroFET, Surface Mount
MOSFET, N-CH, 60V, 7.5A, MICROFET-6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.8V
This device has been designed to provide maximum efficiency and thermal performance for synchronous buck converters. The ow rDS(on) and gate charge provide excellent switching performance.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +89.76%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time1.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.235 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation900 mW
Rds On Max23 mΩ
Rise Time1.7 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time7.3 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2 mm
Width2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità