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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-09-27
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2024-06-22
LTD Date2024-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
Parti correlate
VishaySI3464DV-T1-GE3
MOSFET N-Channel 8A 20V 24mΩ@7.5A,4.5V 1.065nF@10V TSOP-6 SMD 3.05mm × 1.65mm × 1.1mm
VishaySI3460DDV-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.9A; 0.028ohm; 2.7W; -55+150 deg.C; SMD; TSOP6
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMA510PZ fornite dai suoi distributori.
P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -7.8A, 30mΩ
MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET / Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin WDFN EP T/R
FDMA510PZ Series 20 V 30 mOhm Single P-Channel PowerTrench Mosfet MicroFET 2x2
MLP6 2X2 , -20V,-7.8A,30m ohm,SINGLE, PCH POWER MOSFET
DC DC Converters 1 (Unlimited) 1 24-DIP Module, 14 Leads Through Hole Isolated Module ITE (Commercial), Medical ECONOLINE RV (2W) -40°C~85°C 1.27Lx0.58W x 0.45 H 32.4mmx14.7mmx11.4mm CONV DC/DC 2W 24VIN 15VOUT
MOSFET,P CH,20V,7.8A,MICROFET2X2; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-7.8A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-700mV; Power Dissipation Pd:2.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MicroFET; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011)
This device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low on-state resistance. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal performance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time64 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.48 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-700 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max30 mΩ
Resistance30 MΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-700 mV
Turn-Off Delay Time125 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2 mm
Width2 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità