onsemi FDMA507PZ
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Tendenza a 3 mesi: -21.74%
Modelli CAD
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0 parti disponibili
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-05-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Parti correlate
VishaySI3464DV-T1-GE3
MOSFET N-Channel 8A 20V 24mΩ@7.5A,4.5V 1.065nF@10V TSOP-6 SMD 3.05mm × 1.65mm × 1.1mm
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDMA507PZ fornite dai suoi distributori.
P-Channel PowerTrench® MOSFET -20V, -7.8A, 24mΩ
Single P-Channel 20 V 7.8 A 24 mOhm PowerTrench® MOSFET
Trans MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-Pin MLP EP T/R / MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
2.4W(Ta) 8V 1.5V@ 250µA 42nC@ 5V 1individualPChannel 20V 24mΩ@ 7.8A,5V 7.8A 2.015nF@10V MICROFET-6 SMD mount 2mm*2mm*780μm
This device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low on-stade resistance. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal perfomance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight30 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)-20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time96 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance2.015 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.4 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-500 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation900 mW
Rds On Max24 mΩ
Resistance24 MΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-500 mV
Turn-Off Delay Time192 ns
Turn-On Delay Time6.4 ns
Dimensions
Height800 µm
Length2 mm
Width2 mm
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità