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onsemi FDG313N

N-Channel 25 V 450 mOhm Surface Mount Digital FET Mosfet - SC-70-6
$ 0.342
Obsolete
Scheda dati
Pagina del produttore

Prezzo e stock

Schede tecniche e documenti

Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDG313N.

IHS

Datasheet6 pagine4 anni fa
Datasheet5 pagine25 anni fa

element14 APAC

onsemi

Fairchild Semiconductor

iiiC

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:
+0.00%

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Supply Chain

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 18 hours ago)
LTB Date2018-09-30
LTD Date2019-03-31
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 18 hours ago)

Parti correlate

MOSFETs- Power and Small Signal 25V 1.2A N-Channel No-Cancel/No-Return
Power MOSFET, N Channel, 25 V, 1.2 A, 0.249 ohm, SC-88, Surface Mount
onsemiFDG312P
P-Channel PowerTrench® MOSFET, 2.5V Specified, -1.2 A, 180 mΩ
NXP SemiconductorsPMR290XN,115
MOSFET, N CH, 20V, 0.29OHM, 970mA, SOT-416-3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Diodes Inc.DMN2112SN-7
Single N-Channel 20 V 0.25 Ohm 500 mW Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Diodes Inc.DMN100-7-F
DMN100 Series 30 V 240 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SC-59

Descrizioni

Descrizioni di onsemi FDG313N fornite dai suoi distributori.

N-Channel 25 V 450 mOhm Surface Mount Digital FET Mosfet - SC-70-6
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG313N MOSFET Transistor, N Channel, 950 mA, 25 V, 450 mohm, 4.5 V, 800 mV
MOSFET, N, SMD, 6-SC-70; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:950mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):450mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:800mV; Power Dissipation Pd:750mW; Transistor Case Style:SC-70; No. of Pins:6; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:950mA; Package / Case:SC-70; Power Dissipation Pd:750mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:25V; Voltage Vgs Max:800mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V
This N-Channel enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistor and small signal MOSFET.

Alias del produttore

onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

  • FDG313N.