onsemi FDC658AP
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Production
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -17.98%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi FDC658AP.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Diodes Inc.DMP3065LVT-7
DMP Series 30 V 42 mOhm 1.6 W SMT P-Channel Enhancement Mode Mosfet - TSOT-26
Diodes Inc.DMG6602SVT-7
N & P Channel 30 V 60 mOhm Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet-TSOT-23-6
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDC658AP fornite dai suoi distributori.
Transistor MOSFET Positive Channel 30 Volt 4A 6-Pin SuperSOT T/R
In a Pack of 5, P-Channel MOSFET, 4 A, 30 V, 6-Pin SOT-23 ON Semiconductor FDC658AP
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SuperSOT T/R - Tape and Reel (Alt: FDC658AP)
P-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, -30V, -4A, 50mΩ
P-Channel 30 V 50 mOhm Surface Mount Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-6
-30 V, -4 A, 50 MILLI OHM SINGLE P-CHANNEL LOGIC LEVEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild's advanced PowerTrench process. It has been optimized for battery power management applications.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -17.98%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-6
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight36 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Dual Supply Voltage-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance470 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-1.8 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.6 W
Rds On Max50 mΩ
Resistance50 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage-1.8 V
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height900 µm
Length3 mm
Width1.7 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità