onsemi FDBL0260N100
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Parti correlate
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N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 package
STMicroelectronicsSTH240N10F7-2
N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-2 package
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MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF / N-Channel 80 V 240A (Tc) 357W (Tj) Surface Mount 8-HPSOF
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Automotive Q101 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package
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MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK / N-Channel 75 V 240A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDBL0260N100 fornite dai suoi distributori.
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 200A, 2.6mΩ
Transistor MOSFET N-CH 100V 200A 8-Pin MO-299A T/R
Avnet Japan
Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 100V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-299A
MOSFET, N-CH, 100V, 200A, MO-299A-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 200A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.0021ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.30%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals2
Weight850.0521 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance2.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.265 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max2.6 mΩ
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Dimensions
Height2.5 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità