onsemi FDBL86363-F085
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Tendenza a 3 mesi: -0.02%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiFDBL0210N80
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N / N-Channel 80 V 240A (Tc) 357W (Tj) Surface Mount 8-HPSOF
InfineonIPB180N08S402ATMA1
80V, N-Ch, 2.2 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK 7pin, OptiMOS™-T2, PG-TO263-7, RoHS
InfineonIRLS3036TRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 60V, 270A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
InfineonAUIRFS3006-7TRL
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak 7p Package
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDBL86363-F085 fornite dai suoi distributori.
MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF / N-Channel 80 V 240A (Tc) 357W (Tj) Surface Mount 8-HPSOF
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 80V, 240A, 2.0mΩ
Chip Resistor - Surface Mount 10Ohm 0603 (1608 Metric) ±5% ±200ppm/°C Thick Film Cut Tape (CT) 2 1 (Unlimited) ERJ Thick Film Resistors - SMD 0603 10ohms 5% AEC-Q200
MOSFET, AEC-Q101, NCH, 240A, 80V, H-PSOF; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 240A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 357W; Transistor Case Style: H-PSOF; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: PowerTrench Series; Automotive Qualification Standard: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.02%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals2
Weight850.0521 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)240 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance10 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation357 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation357 W
Rds On Max2 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time61 ns
Turn-On Delay Time39 ns
Dimensions
Height2.4 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità