onsemi FDB8447L
$ 1.215
EOL
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Tendenza a 3 mesi: -0.12%
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-03-09
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDB8447L fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 40V 15A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET, 40V, 50A, 8.5mΩ
N-Channel 40 V 50 A 8.5 mOhm Surface Mount PowerTrench® Mosfet -TO-263AB
40V, 50A, 8.5 MILLI OHM 40V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N, SMD, TO-263; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):8.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Power Dissipation Pd:60W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:60W; Power Dissipation Pd:60W; Pulse Current Idm:100A; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:40V; Voltage Vgs Max:1.9V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:3V
This N–Channel MOSFET has been produced using Fairchild Semiconductor's proprietary PowerTrench® technology to deliver low rDS(on) and optimized BVDSS capability to offer superior performance benefit in the application.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -0.12%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263
MountSurface Mount
Number of Pins2
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance8.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Dual Supply Voltage40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.62 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.9 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3.1 W
Rds On Max8.5 mΩ
Resistance8.5 MΩ
Rise Time6 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage1.9 V
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.67 mm
Width11.33 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità