onsemi FDB8443
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EOL
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Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Supply Chain
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 21 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 21 hours ago)
Parti correlate
STMicroelectronicsSTB270N4F3
Automotive-grade N-channel 40 V, 1.6 mOhm typ., 160 A STripFET F3 PowerMOSFET in D2PAK package
InfineonIRF1404ZSTRLPBF
In a Pack of 5, N-Channel MOSFET, 190 A, 40 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRF1404ZSPBF
InfineonIRF2804STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 40V;RDS(ON) 1.8Milliohms;ID 75A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20
InfineonIRL1404ZSTRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 40V, 200A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Cont
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDB8443 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH Si 40V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel PowerTrench® MOSFET 40V, 182A, 3mΩ
40V,80A,3.0 m ohm,NCH POWER TRENCH MOSFET
Fet 40V 3.0 Mohm D2Pak/Reel Rohs Compliant: Yes |Onsemi FDB8443
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET N-CH 40V 25A/120A TO263AB
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.31 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation188 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation188 W
Rds On Max3 mΩ
Rise Time17.9 ns
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time18.4 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità