onsemi FDB075N15A-F085
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Questo componente
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Stock
518,476
552,292
Authorized Distributors
2
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vds)
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
110 A
120 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
7.5 mΩ
7.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
333 W
333 W
Input Capacitance
5.595 nF
7.35 nF
Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-11-07
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2023-09-30
LTD Date2024-03-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
Parti correlate
VishaySUM85N15-19-E3
Trans MOSFET N-CH 150V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK / MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
International RectifierAUIRFS4115
Automotive Q101 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonAUIRFS4115TRL
MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK / N-Channel 150 V 99A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
InfineonIPB530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK N-Channel 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FDB075N15A-F085 fornite dai suoi distributori.
Trans MOSFET N-CH 150V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
N-Channel Power Trench® MOSFET 150V, 110A, 5.5mΩ
MOSFET, N-CH, 150V, 110A, 175DEG C, 333W; Available until stocks are exhausted
Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 150V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)110 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance7.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.595 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation333 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation333 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time46 ns
Turn-Off Delay Time76 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità