onsemi FCP130N60
$ 2.63
Production
Prezzo e stock
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Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +64.83%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
VishaySIHF30N60E-GE3
E Series N Channel 600 V 0.125 O 130 nC Flange Mount Power Mosfet - TO-220FP
onsemiFCPF20N60T
Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 20 A, 190 mΩ, TO-220F
STMicroelectronicsSTF33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220FP package
Descrizioni
Descrizioni di onsemi FCP130N60 fornite dai suoi distributori.
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FAST, 600 V, 28 A, 130 mΩ, TO-220
N-Channel SuperFET II MOSFET | MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
SuperFET® II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +64.83%
Modelli CAD
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Weight1.8 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance130 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.59 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation278 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max130 mΩ
Resistance130 mΩ
Rise Time16 ns
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time25 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità