onsemi CNY17F1VM
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Price @ 1000
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Stock
140,350
250,455
Authorized Distributors
6
6
Case/Package
PDIP
DIP
Number of Pins
6
6
Number of Channels
1
1
Isolation Voltage
4500 Vrms
4500 Vrms
Current Transfer Ratio
40 %
40 %
Rise Time
4 µs
4 µs
Fall Time
20 µs
20 µs
Output Voltage
70 V
100 V
Output Current
-
-
Forward Voltage
1.65 V
1.65 V
Forward Current
60 mA
60 mA
Supply Chain
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2005-10-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi CNY17F1VM fornite dai suoi distributori.
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor DC-OUT 6-Pin PDIP White Bulk
6-Pin DIP High BVCEO Phototransistor Output Optocoupler
70V 4170V 50mA 0.4V@2.5mA,10mA 1 6V 1.15V DC DIP-6 Optocouplers - Phototransistor Output ROHS
Transistor Output Optocouplers Optocoupler Phototrans No Base
The CNY17XM, CNY17FXM and MOC810XM devices consist of a gallium arsenide infrared emitting diode coupled with an NPN phototransistor in a dual in-line package.
Optocoupler, Transistor, 4.17Kv, Dip-6; No. Of Channels:1 Channel; Optocoupler Case Style:Dip; No. Of Pins:6Pins; Forward Current If Max:60Ma; Isolation Voltage:4.17Kv; Ctr Min:40%; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:70V Rohs Compliant: Yes |Onsemi CNY17F1VM
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackagePDIP
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins6
Weight855 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage70 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 mV
Current Transfer Ratio40 %
Dark Current50 nA
Fall Time20 µs
Forward Current60 mA
Forward Voltage1.65 V
Isolation Voltage4500 Vrms
Max Collector Current50 mA
Max Input Current60 mA
Max Operating Temperature100 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Current per Channel50 mA
Output Voltage70 V
PackagingBulk
Power Dissipation250 mW
Reverse Breakdown Voltage6 V
Rise Time4 µs
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità