onsemi BUD42DG
$ 0.358
Obsolete
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Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.358
$ 0.439
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Stock
86,580
244,704
244,704
Authorized Distributors
2
3
3
Mount
-
-
-
Case/Package
TO-252-3
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
350 V
350 V
350 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
200 mV
200 mV
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
25 W
-
-
Supply Chain
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-04-06
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-01-06
LTD Date2011-07-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BUD42DG fornite dai suoi distributori.
Tube Surface Mount NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 10 @ 2A 5V 100muA 25W 650V
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
High Speed, High Gain NPN Bipolar Power Transistor
Trans GP BJT NPN 350V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)650 V
Collector Emitter Breakdown Voltage350 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)9 V
hFE Min10
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation25 W
Voltage Rating (DC)350 V
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità