onsemi BSR15
Obsolete
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Distributori di stock non autorizzati
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Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2018-06-22
LTD Date2018-12-22
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
Diodes Inc.MMBT4403-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -40 V, 300 mW, -600 mA, 100 RoHS Compliant: Yes
Diodes Inc.MMBT3906-7-F
Single Bipolar Transistor, PNP, 40 V, 200 mA, 350 mW, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Diodes Inc.BC858B-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BSR15 fornite dai suoi distributori.
TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,800MA I(C),SOT-23
BSR15 Series 40 V 800 mA PNP Surface Mount General Purpose Amplifier - SOT-23-3
Trans GP BJT PNP 40V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -40V, SOT-23-3
This device is designed for use as general purpose amplifier and switches requiring collector currents to 500 mA. Sourced from Process 63. See BCW68G for characteristics.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-40 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.6 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating-800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current800 mA
Max Frequency200 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation350 mW
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità