Prezzo e stock
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi BD159G.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.19
$ 0.814
Stock
53,750,176
395,715
Authorized Distributors
2
2
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-225
TO-126
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
160 V
Max Collector Current
500 mA
500 mA
Transition Frequency
6 MHz
155 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
hFE Min
30
30
Power Dissipation
20 W
20 W
Supply Chain
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 5 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BD159G fornite dai suoi distributori.
0.5 A, 350 V NPN Bipolar Power Transistor
BD Series 350 V 500 mA Plastic Medium Power NPN Silicon Transistor - TO-225
Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
PLASTIC MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 350V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Bipolar Transistor, Npn, 350V; Transistor, Polaridad:Npn; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:350V; Frecuencia De Transición Ft:-; Disipación De Potencia Pd:20W; Corriente De Colector Dc:500Ma; Ganancia De Corriente Dc Hfe:30 |Onsemi BD159G
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 350V, TO-225-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 350V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 30hFE; Transi
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-225
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)375 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)350 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min30
Max Breakdown Voltage350 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation20 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency6 MHz
Voltage Rating (DC)350 V
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi BD159G.
Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità