onsemi BD14016STU
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Obsolete
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Distributore
SKU
Min
Pkg
Prezzi all'ingrosso
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Tendenza a 3 mesi: +53.19%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
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$ 0.266
Stock
324,672,247
171,291
Authorized Distributors
4
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-126
TO-126
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
Max Collector Current
1.5 A
1.5 A
Transition Frequency
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
-500 mV
-500 mV
hFE Min
100
100
Power Dissipation
1.25 W
1.25 W
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2024-04-02
LTD Date2024-10-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Parti correlate
onsemiKSB744AYSTU
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BD14016STU fornite dai suoi distributori.
1.5 A, 80 V NPN Power Bipolar Junction Transistor. ONSSPCTRNSTLT1T0R;
BD140 Series 80 V CE Breakdown 1.5 A PNP Epitaxial Silicon Transistor - TO-126
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight760.986249 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current15 A
Current Rating-1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min100
Max Collector Current1.5 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation12.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.25 W
Schedule B8541290080
Voltage45 V
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height14.2 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità