onsemi BC856BDW1T3G
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Tendenza a 3 mesi: +8.11%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Supply Chain
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiBC846BPDW1T1G
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
onsemiMUN5115DW1T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
onsemiMUN5316DW1T1G
MUN Series 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN/PNP Dual Bias Resistor Transistor - SOT-363
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BC856BDW1T3G fornite dai suoi distributori.
ON Semi BC856BDW1T3G Dual PNP Bipolar Transistor; 0.1 A; 65 V; 6-Pin SOT-363
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
650mV@ 5mA,100mA 2 PNP (Dual) 380mW 5V 15nA 80V 65V 100mA SC-70-6 SMD mount 2mm*1.25mm*900μm
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
100 mA 65 V 2 CHANNEL PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +8.11%
Modelli CAD
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating-100 mA
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation380 mW
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-65 V
Dimensions
Height950 µm
Length2.08 mm
Width1.25 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità