onsemi BC850CLT1G
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
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Questo componente
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$ 0.033
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Stock
8,682,477
4,830,940
4,830,940
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-323
SOT-323
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
45 V
45 V
45 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
100 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
600 mV
hFE Min
420
420
420
Power Dissipation
225 mW
200 mW
200 mW
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiBC847CLT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BC850CLT1G fornite dai suoi distributori.
ON SEMI BC850CLT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.1 A, 45 V, 3-PIN SOT-23
45V 225mW 420@2mA,5V 100mA NPN SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
BC Series 45 V 100 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-23
BIPOLAR Transistor, NPN, 45V SOT-23; TRA; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V;
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23
ON Semiconductor BC850CLT1G Transistor NPN epitaxial silicon surface mount
Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V NPN
ON Semiconductor NPNTransistor, SOT-23encapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current100 mA, maximum collector-emission voltage45 V
Bipolar Transistor, Npn, 45V Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:45V; Continuous Collector Current:100Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi BC850CLT1G.
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)45 V
Dimensions
Height1.11 mm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità