onsemi BC548BTA
$ 0.069
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -7.00%
Modelli CAD
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.069
$ 0.082
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Stock
579,545
1,081,992
1,081,992
Authorized Distributors
6
3
3
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-92
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
250 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
200
200
200
Power Dissipation
625 mW
625 mW
625 mW
Supply Chain
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2002-07-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BC548BTA fornite dai suoi distributori.
BC548 Series 30 V 100 mA 500 mW NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92-3
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 500mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 100mA HFE/450
30V 500mW 100mA 200@2mA5V 300MHz 250mV@100mA5mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
onsemi NPNTransistor, TO-92encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current100 mA, maximum collector-emission voltage30 V
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 30V, TO-92-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Transition Frequency ft:300MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; T
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency1 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height7.87 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità