onsemi BC546BZL1G
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Obsolete
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
Parti alternative
Price @ 1000
$ 0.06
$ 0.704
Stock
254,204
164,258
Authorized Distributors
3
5
Mount
-
-
Case/Package
TO-92-3
TO-92-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
65 V
65 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
600 mV
600 mV
hFE Min
200
200
Power Dissipation
625 mW
625 mW
Supply Chain
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiBC546BRL1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
onsemiFJN3304RBU
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole TO-92-3
Descrizioni
Descrizioni di onsemi BC546BZL1G fornite dai suoi distributori.
Tape & Box (TB) Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 2mA 5V 15nA 625mW 300MHz
Power Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-226AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Ammo
Bipolar Transistor, Npn, 65V, Full Reel
TRANSISTOR, NPN, 65V, 100MA, TO-92; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 65V; Transition Frequency ft: 150MHz; Power Dissipation Pd: 625mW; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 290hFE; Tra
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-92-3
Contact PlatingCopper, Silver, Tin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation625 mW
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)65 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length5.2 mm
Width4.19 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità