onsemi 6HP04MH-TL-W
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-12-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2021-10-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
onsemiMCH3486-TL-W
N-Ch MOSFET 60V 2A 137mΩ@1A,10V 2.6V@1mA 7nC@10V 310pF@20V SC-70FL SMD 2mm × 1.6mm × 880μm
onsemiMCH6445-TL-W
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
VishaySI5468DC-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - 1206-8 ChipFET
VishaySI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,3.8 A,20V,8-PIN 1206 CHIPFET
Descrizioni
Descrizioni di onsemi 6HP04MH-TL-W fornite dai suoi distributori.
P-Channel Small Single MOSFET, -60V, -370mA, 4.2Ω
Trans MOSFET P-CH 60V 0.37A 3-Pin MCPH T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.37A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P-CH, -60V, -0.37A, SC-70FL; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -370mA; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 3.1ohm; Rds(on) Test Volt; Available until stocks are exhausted
Pch 4V Drive Series/Reel |Onsemi 6HP04MH-TL-W
600mW(Ta) 20V 0.84nC@ 10 V 1individualPChannel 60V 4.2Ω@ 190mA,10V 370mA 24.1pF@20V SC-70FL SMD mount 2mm*1.6mm*880μm
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
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Parti alternative
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Contact PlatingTin Bismuth
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Weight124.596154 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)370 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance4.2 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance24.1 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation600 mW
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation600 mW
Rds On Max4.2 Ω
Rise Time15.2 ns
Turn-Off Delay Time113 ns
Turn-On Delay Time18.4 ns
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità