onsemi 4N33M
$ 0.259
Production
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: -9.90%
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Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Price @ 1000
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$ 0.291
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Stock
753,909
70,447
70,447
Authorized Distributors
6
6
6
Case/Package
DIP
DIP
DIP
Number of Pins
6
6
6
Number of Channels
1
1
1
Isolation Voltage
7500 Vrms
5300 Vrms
5300 Vrms
Current Transfer Ratio
500 %
500 %
500 %
Rise Time
5 µs
-
-
Fall Time
100 µs
-
-
Output Voltage
60 V
30 V
30 V
Output Current
-
-
-
Forward Voltage
1.5 V
1.5 V
1.5 V
Forward Current
80 mA
80 mA
80 mA
Supply Chain
Country of OriginThailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2001-05-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descrizioni
Descrizioni di onsemi 4N33M fornite dai suoi distributori.
Optocoupler, Darlington Output, 1 Channel, DIP, 6 Pins, 80 mA, 1.5 kV, 500 %
Optocoupler DC-IN 1-CH Darlington With Base DC-OUT 6-Pin PDIP White Tube
Avnet Japan
4N33M Single Channel 30V 4170V Through Hole Photo Darlington Optocoupler - DIP-6
6-Pin DIP General Purpose Photodarlington Optocoupler
30V 4170V 150mA 1V@2mA,8mA 1 3V 1.2V DC DIP-6 Optocouplers - Phototransistor Output ROHS
The 4N29M, 4N30M, 4N32M, 4N33M, H11B1M and TIL113M have a gallium arsenide infrared emitter optically coupled to a silicon planar photodarlington.
OPTOCOUPLER, DARLINGTON O/P; No. of Channels:1; Voltage, Isolation:1500V; Output Type:Darlington; Input Current:80mA; Voltage, Output Max:30V; Case Style:DIP-6; Operating Temperature Range:-55°C to +100°C; Approval Bodies:CSA; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:30V; Current, If AV:10mA; No. of Pins:6; Optocoupler Type:Darlington Output; Time, Fall:5µs; Time, Rise:0.06µs; Ratio, CTR Min:500%; Ratio, CTR Typ:500%
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageDIP
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins6
Weight855 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage1 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1 V
Current Transfer Ratio500 %
Dark Current100 nA
Fall Time100 µs
Forward Current80 mA
Forward Voltage1.5 V
Input Current80 mA
Isolation Voltage7500 Vrms
Max Collector Current150 mA
Max Input Current80 mA
Max Operating Temperature100 °C
Max Output Voltage30 V
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output Current per Channel150 mA
Output Voltage60 V
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation250 mW
Reverse Breakdown Voltage3 V
Reverse Voltage (DC)3 V
Rise Time5 µs
Schedule B8541408000
Dimensions
Height5.08 mm
Length8.89 mm
Width6.6 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità