onsemi 2SD1816S-E
$ 0.364
Obsolete
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | 2SD1816S-E | 1980 | 12h | |||||||||
| Farnell | 2SD1816S-E | 0 | 1K | 12h | ||||||||
| Win Source | WS-2SD1816S-E | 6090 | 65 | 13h | ||||||||
| Worldway Electronics | 2SD1816S-E | 26.727 | 7 | Bulk | 12h | |||||||
| Aztech | 2SD1816S-E | 4259 | 7h |
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
1 parte disponibile
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per onsemi 2SD1816S-E.
Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SimboloImpronta | ||
 Ultra Librarian | SimboloImpronta | Scarica |
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Parti alternative
Questo componente
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Price @ 1000
$ 0.364
$ 0.369
Stock
87,223
174,980
Authorized Distributors
2
3
Mount
-
-
Case/Package
TO-251-3
TO-251-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
4 A
4 A
Transition Frequency
180 MHz
180 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
hFE Min
140
140
Power Dissipation
1 W
-
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 20 hours ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 20 hours ago)
Parti correlate
onsemi2SD1815S-E
Bipolar Transistor 100V 3A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA , h FE 140 - 280
onsemi2SD1815T-E
Bipolar Transistor 100V 3A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA , h FE 200 - 400
onsemi2SD1816T-E
Bulk Through Hole NPN SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 200 @ 500mA 5V 1muA ICBO 1W 180MHz
Descrizioni
Descrizioni di onsemi 2SD1816S-E fornite dai suoi distributori.
Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-251
Bip Transistor 100V, 4A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA
Trans GP BJT NPN 100V 4A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin Bismuth
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency180 MHz
Gain Bandwidth Product130 MHz
hFE Min140
Max Collector Current4 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency180 MHz
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità