onsemi 2SD1815S-TL-E
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
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Questo componente
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Stock
1,820,921
403,845
Authorized Distributors
6
3
Mount
-
-
Case/Package
TO-252-3
TO-251-3
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
3 A
3 A
Transition Frequency
180 MHz
180 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
150 mV
-
hFE Min
140
140
Power Dissipation
1 W
1 W
Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
ROHM2SD1733TLR
NPN Transistor, CPT-3, SMD, 400mV@20mA/500mA, 1W, 5V, 1μA, 120V, 80V, 1A, 6.5mm × 5.5mm × 2.3mm
onsemi2SC4135T-TL-E
Bipolar Transistor, (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
Diodes Inc.ZXTN04120HKTC
1.5V@ 1mA,1A NPN - Darlington 3.9W 14V 100nA 140V 120V 1.5A TO-252-3 SMD mount
ROHM2SD1733TLP
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrizioni
Descrizioni di onsemi 2SD1815S-TL-E fornite dai suoi distributori.
Bipolar Transistor 100V 3A VCE(sat);400mV max. NPN Single TP/TP-FA , h FE 140 - 280
Transistor, Bipolar, Npn, 100V, 3A/To252; |Onsemi 2SD1815S-TL-E
ON SEMI 2SD1815S-TL-E NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 3 A, 100 V, 4-PIN TP-FA
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 1-Element, NPN
onsemi NPNTransistor, TP-FAencapsulation, SMD mount, Maximum DC collector current3 A, maximum collector-emission voltage100 V
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min140
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency180 MHz
Dimensions
Height2.3 mm
Length6.5 mm
Width5.5 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità