onsemi 2N7002W

Name: onsemi 2N7002W
Brand: onsemi
SKU: 2N7002W

N-Channel 60 V 7.5 Ohm SMT Enhancement Field Effect Transistor SOT-23-3

$ 0.093

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		2N7002W	411.000	3K						0,055	3d
Newark	2	2N7002W	625	1	Cut Tape	0,391	0,247	0,164	0,146	0,146
Verical	3	2N7002W	2820	24				0,051	0,051	0,051
Arrow Electronics	2	2N7002W	4708	1		0,266	0,162	0,102	0,066	0,054
Future Electronics		2N7002W	3000	3K	Tape & Reel					0,072

Cronologia dell'inventario

Tendenza a 3 mesi: -10.01%

Modelli CAD

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Parti alternative

1 parte disponibile

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet6 pagine3 anni fa

Datasheet6 pagine16 anni fa

JRH Electronics

Upverter

element14 APAC

Future Electronics

Cronologia dell'inventario

Trend di 3 mesi:

-10.01%

Modelli CAD

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Questo componente

Parti alternative

onsemi2N7002W

Diodes Inc.2N7002W-7-F

Price @ 1000

$ 0.093

$ 0.067

Stock

3,301,672

31,153,026

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-323

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

115 mA

Threshold Voltage

1 V

2 V

Rds On Max

7.5 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

200 mW

Input Capacitance

50 pF

Supply Chain

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-10-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Parti correlate

Diodes Inc.2N7002W-7-F

Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R

Dettagli

Diodes Inc.DMN601WK-7

Mosfet, N-Ch, 60V, 0.3A, Sot-323 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN601WK-7

Dettagli

onsemi2N7002KW

N-Channel MOSFET, Enhancement Mode, 60V, 310mA, 1.6Ω

Dettagli

Diodes Inc.BSS138W-7-F

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; 3.5ohm; 0.2W; -55+150 deg.C; SMD; SOT323(SC70)

Dettagli

InfineonBSS138WH6327XTSA1

Mosfet, N-Ch, 60V, 0.28A, Sot-323 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSS138WH6327XTSA1

Dettagli

InfineonSN7002WH6327XTSA1

Single N-Channel 60 V 5 Ohm 1 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-323

Dettagli

Descrizioni

Descrizioni di onsemi 2N7002W fornite dai suoi distributori.

N-Channel 60 V 7.5 Ohm SMT Enhancement Field Effect Transistor SOT-23-3

Future Electronics

N-Channel MOSFET, small signal 60V, 340mA, 1.6 Ohm, SC-70

onsemi

Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SC-70 T/R / MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323

Win Source

Power MOSFET, N Channel, 78 V, 115 mA, 2.53 ohm, SOT-323, Surface Mount

Avnet

MOSFET, N-CH, 78V, 0.115A, SOT-323-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:115mA; Drain Source Voltage Vds:78V; On Resistance Rds(on):2.53ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7

element14 APAC

Immagini

Alias del produttore

onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias del numero di parte

Questa parte può essere conosciuta con i seguenti numeri di parte alternativi:

2N7002W.

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Tendenza a 3 mesi: -10.01%

Modelli CAD

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Parti alternative

1 parte disponibile

Specifiche tecniche

Physical

Case/PackageSOT-323

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Continuous Drain Current (ID)115 mA

Drain to Source Breakdown Voltage60 V

Drain to Source Resistance7.5 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Element ConfigurationSingle

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance50 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation200 mW

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

Power Dissipation200 mW

Rds On Max7.5 Ω

Resistance7.5 Ω

Schedule B8541210080

Threshold Voltage1 V

Turn-Off Delay Time12.5 ns

Turn-On Delay Time5.85 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Length2 mm

Width1.25 mm

Schede tecniche e documenti

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IHS

Datasheet6 pagine3 anni fa

Datasheet6 pagine16 anni fa

JRH Electronics

Upverter

element14 APAC

Future Electronics

Conformità

Classificazione ambientale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Dichiarazioni di conformità

Rohs Statement3 pagine5 anni fa

Reach Statement3 pagine12 anni fa

Materials Sheet3 pagine12 anni fa

Reach Statement3 pagine11 anni fa

Materials Sheet3 pagine11 anni fa

Reach Statement8 pagine11 anni fa

Rohs Statement1 pagina12 anni fa

Rohs Statement1 pagina14 anni fa

Reach Statement2 pagine13 anni fa

Rohs StatementN/AN/A