onsemi 1HP04CH-TL-W
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Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +6.57%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
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Modelli CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SimboloImpronta | 3D | Scarica |
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Supply Chain
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Parti correlate
InfineonBSS169H6906XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 170 mA, 2.9 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Diodes Inc.ZXMP10A13FQTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23 / P-Channel 100 V 600mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
InfineonIRLML0100TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.6 A, 220 Milliohms, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descrizioni
Descrizioni di onsemi 1HP04CH-TL-W fornite dai suoi distributori.
P-Channel Small Signal MOSFET, -100V, -170mA, 18Ω
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
MOSFET, P-CH, -100V, -0.17A, SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -170mA; Drain Source Voltage Vds: -100V; On Resistance Rds(on): 18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -2
Alias del produttore
onsemi ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. onsemi può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +6.57%
Modelli CAD
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Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-236-3
Contact PlatingTin Bismuth
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)170 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance18 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Fall Time81 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance14 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation600 mW
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation600 mW
Rds On Max18 Ω
Rise Time18 ns
Turn-Off Delay Time200 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height1.05 mm
Schede tecniche e documenti
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Conformità
Classificazione ambientale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità