NXP Semiconductors PMN38EN,135
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Parti correlate
InfineonIRFTS9342TRPBF
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
VishaySI3456DDV-T1-E3
Single N-Channel 30 V 0.04 Ohm 2.7 W Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
Descrizioni
Descrizioni di NXP Semiconductors PMN38EN,135 fornite dai suoi distributori.
Power Field-Effect Transistor, 5.4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 30V 5.4A 6-Pin TSOP T/R
MOSFET N-CH FET 30V 5.4A 6TSOP
1.75W(Tc) 20V 2V@1mA 6.1nC@ 4.5 V 1N 30V 38m¦¸@ 3A,10V 495pF@25V SC-74 1mm
N-channel TrenchMOS logic level FET
MOSFET, N CH, 30V, 5.4A, 6-SOT-457; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):31mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.5V ;RoHS Compliant: Yes
Alias del produttore
NXP Semiconductors ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. NXP Semiconductors può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
0 models available
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTSOP
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage27 V
Drain to Source Resistance46 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance495 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.75 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation1.75 W
Rds On Max38 mΩ
Resistance46 MΩ
Rise Time19 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Schede tecniche e documenti
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