NXP Semiconductors PHD13003C,412
$ 0.076
Prezzo e stock
Distributori autorizzati
Distributori di stock non autorizzati
Rivenditori non autorizzati
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per NXP Semiconductors PHD13003C,412.
Modelli CAD
Scarica il simbolo NXP Semiconductors PHD13003C,412, l'impronta e i modelli STEP 3D dai nostri partner di fiducia.
| FONTE | eCAD | mCAD | FILE |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Impronta | 3D | Scarica |
Il sito del partner si aprirà in una nuova scheda quando si scaricano i modelli CAD
Scaricando i modelli CAD da Octopart, accetti i nostri Termini e condizioni e l'Informativa sulla privacy.
Parti correlate
onsemiKSC2330OBU
Bulk Through Hole NPN Single Bipolar (BJT) Transistor 70 @ 20mA 10V 100nA ICBO 1W 50MHz
Descrizioni
Descrizioni di NXP Semiconductors PHD13003C,412 fornite dai suoi distributori.
Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3-Pin SPT Bulk
TRANS NPN 400V 1.5A SOT54
NOW WEEN - PHD13003C - POWER BIP
Alias del produttore
NXP Semiconductors ha diversi marchi in tutto il mondo che i distributori possono utilizzare come nomi alternativi. NXP Semiconductors può anche essere conosciuto con i seguenti nomi:
- NXP
- PHILIPS
- PHIL
- NXP USA Inc
- PHI
- PHILLIPS
- NXP SEMI
- NXP SEMICONDUCTOR
- PHILIPS/NXP
- PHILIPS SEMICONDUCTORS
- PHILIP
- NXP/PHILIPS
- PHILIPS SEMICONDUCTOR
- PHILPS
- PHILIPS COMPONENTS
- PHILIPS SEMI
- PHL
- PHLIPS
- NXP Semicon
- NXP / Freescale
- PHILL
- PHILIPS ECG
- Philips Semiconducto
- PHILLIP
- PHILI
- Philips Semiconductors
- NXP Semiconductors NV
- NXP
Cronologia dell'inventario
Tendenza a 3 mesi: +0.00%
Modelli CAD
Scarica il simbolo, l'impronta e il 3D STEP
Parti alternative
0 parti disponibili
Specifiche tecniche
Physical
Case/PackageTO-226-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)700 V
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V
Element ConfigurationSingle
hFE Min5
Max Breakdown Voltage400 V
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Schede tecniche e documenti
Scarica le schede tecniche e la documentazione del produttore per NXP Semiconductors PHD13003C,412.
Conformità
Classificazione ambientale
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Dichiarazioni di conformità